Транзистор MTD6N20E

Транзистор MTD6N20E

Тип: N-канальный MOSFET

Корпус: TO-252-3, SMD/SMT

Основные электрические параметры

• V(BR)DSS: 200 V
• Id (25°C): 4.5 A
• Rds(on) (25°C): 0.8 Ом
• Vgs: ±30 V
• Мощность рассеяния (25°C): 40 Вт

Временные параметры

• td(on): 8.3 нс
• tr: 5.6 нс
• td(off): 15 нс
• tf: 12.8 нс

Конструктивные данные

• Технология: Si
• Длина: 6.6 мм
• Ширина: 6.1 мм
• Высота: 2.3 мм
• Масса: 0.26037 г